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InGaAs-GYPD-RA-70BR-BG(S)正方形 光探测

产品概述:

GY-PD-70-BGS正方形是一款铟镓砷雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode, APD),专门设计用于在红外波段提供高灵敏度的光探测。

产品型号:GY-PD-70-BGS
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技术支持:黄工 13317734075 (微信同号,可扫码
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产品介绍


应用

  • 高响应度
  • 低暗电流,小电容
  • 同轴封装,可靠性高,使用寿命长
  • InGaAs PIN-PD作为接收器


最大绝对额定值Tc=25℃)

参数名称符号最小典型最大单位
饱和功率Ps3————dBm
正向电流IF————10mA
反向电流VR——515V
工作环境温度Top-40——+85⁰C
贮存温度TSTG-40——+85⁰C
引线焊接(温度/时间)————260/10 or 360/5——⁰C/Sce


光电性能(Tc=25℃)

特性参数符号测试条件最小典型最大单位
活动区域φ————70——nm
工作波长λ——1100——1650nm
响应度RVr=5V, λ=1310nm 0.850.90——A/W
暗电流IdVr=5V————1nA
电容CVr=5V,f=1MHz, case open————0.75pF
上升时间/下降时间Tr/TfVr=5V,10~90%————0.5ns
带宽BWVr=5V, 50Ωload with lead leadth=6mm,case open1.25————GHz


封装尺寸和管脚定义

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