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InGaAs APD光电探测器 多模(62.5/125)
产品概述：GY-APD-50-PF-M(62.5-125)是一款铟镓砷雪崩光电二极管(APD)，它结合了高性能的光电探测技术和先进的光学设计，适用于多种光纤通信和光电探测应用。该器件的光敏区直径为50微米，并且采用了50AR的抗反射涂层来最小化光的反射并增加透过率。
产品型号：GY-APD-50-PF-M
技术支持：黄工 13317734075 (微信同号，可扫码）
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产品介绍
应用
- 高响应度
- 低暗电流，小电容
- 同轴封装，可靠性高，使用寿命长
- 符合RoHS要求且无铅
- 仪器仪表
最大绝对额定值（Tc=25℃）
| 参数名称 | 符号 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 工作温度 | Top | -40 | +85 | ⁰C |
| 贮存温度 | TSTG | -40 | +85 | ⁰C |
| 正向电流 | IF | —— | 5 | mA |
| 反向电流 | VR | —— | 45 | V |
光电性能（Tc=25℃）
| 特性参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 工作波长 | λ | —— | 1100 | —— | 1650 | nm |
| 雪崩电压 | VBR | —— | —— | 40 | 45 | V |
| 响应度 | R | Vr=5V, λ=1310nm | 0.70 | 0.80 | —— | A/W |
| 暗电流 | Id | φe=0μW | —— | 1 | 10 | nA |
| 结电容 | C | M=10,φe=0μW, f=1MHz | —— | 0.6 | 1.0 | pF |
| 响应时间 | RT | λ=1310nm, M=10,Rj=50Ω | —— | 0.3 | 0.5 | ns |
| 带宽 | BW | M=10, Rj=50Ω | 2.0 | —— | —— | GHz |
封装形式和管脚定义
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