YG-SIAPD3000UV1 Ф3mm超大靶面 300-1100nm响应 355nm紫外增强硅雪崩光电二极管
紫外光电探测器 3mm光电探测器 光电二极管 荧光探测 400-1100nm
Ф3mm超大靶面，300-1100nm响应范围，355nm紫外增强，硅基雪崩光电探测器；适合用于荧光探测，超弱光探测等应用场景。
NIR2200D1N1 NIR2200D1N1 长波长光电探测器二极管
900-2600nm光电二极管通过将光功率转换为电流，是测量脉冲和连续光纤光源的理想选择!
GY-APD-200-TO46 InGaAs Φ 200μm APD空间光二极管
InGaAs Φ 200μm APD Chip（铟镓砷200微米直径雪崩光电二极管芯片）是一种高性能的半导体光电探测器，专门设计用于在近红外波段检测微弱的光信号。
GY-APD-1000-TO46 InGaAs-1000μm APD管子 光电二极管 低光级探测
InGaAs Φ 1000μm APD Chip（铟镓砷1000微米直径雪崩光电二极管芯片）是一种高性能的半导体光电探测器，专门设计用于在近红外波段检测微弱的光信号。
GY-APD-500-TO46 InGaAs-500μm APD 光电二极管
通常用于光纤通信系统中，尤其是在长波长红外（LWIR）波段，其响应范围可以从约1微米延伸至近2微米。
GY-PD-70-BGS InGaAs-GYPD-RA-70BR-BG(S)正方形 光探测
GY-PD-70-BGS正方形是一款铟镓砷雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode, APD），专门设计用于在红外波段提供高灵敏度的光探测。
GY-PD-80-B InGaAs 80um FC型法兰探测器
GY-PD-80-B是一款带有FC型光纤法兰的光电探测器。这种探测器通常用于光纤通信系统中，用于接收和放大通过光纤传输的光信号。
GY-PD-1000-E-TO46 InGaAs 1000μm PD TO-CAN 宽动态 光电二极管
一种铟镓砷光电探测器，具有1000微米（1毫米）的有效探测面积，并封装在TO-CAN（晶体管外形金属壳）中。这种光电探测器主要用于需要高灵敏度和在特定波长范围内检测红外光的通信和传感应用中，通常这个波长范围大约是从1到3微米。
GY-SI-APD-800-TO46 Si 800μm 1064nmAPD
Si 800μm 1064nm APD (硅基800微米厚度的1064纳米波长适用雪崩光电二极管)是一种专门设计用于探测特定波长光的高灵敏度半导体器件。
GY-Si-APD-3000-TO5 Ф3mm355nm 硅雪崩光电二极管
Ф3mm355nm硅雪崩光电二极管是一种高性能的光电探测器件，专门设计用于探测紫外到可见光范围内的光信号，特别是355纳米波长的脉冲激光。
GY-SI-PD-200-BGS GYPD-RA-2HBR-BG-Si 正方形 雪崩光电二极管
一款硅基高速光电探测器，专门设计用于光纤通信系统中的接收端。该探测器属于雪崩光电二极管的一种，具备高灵敏度和快速响应时间的特性，使其非常适合于高速率的应用场景。
GY-SI-PD-200-S GYPD-RA-2HBR-BG-Si（S）长方形 高速光电探测
一款硅基高速光电探测器，专门设计用于光纤通信系统中的接收端。该探测器属于雪崩光电二极管的一种，具备高灵敏度和快速响应时间的特性，使其非常适合于高速率的应用场景。
GY-APD-50-PF-M InGaAs APD光电探测器 多模(62.5/125)
GY-APD-50-PF-M(62.5-125)是一款铟镓砷雪崩光电二极管(APD)，它结合了高性能的光电探测技术和先进的光学设计，适用于多种光纤通信和光电探测应用。该器件的光敏区直径为50微米，并且采用了50AR的抗反射涂层来最小化光的反射并增加透过率。
GY-APD-50-PF-S InGaAs 50um APD管子-单模尾纤
GY-APD-50-PF-S是一种铟镓砷雪崩光电二极管，专为高性能光通信和光电探测设计。这种APD管子具有50微米的光敏面积，这使得它能够检测到非常微弱的光信号。
GY-SI-APD-500-PF-M GYAPD-PFA1-5HBR-M(62.5/125) 高灵敏 二极管
一款应用于高速光纤通讯领域的雪崩光电二极管，该器件结合了雪崩倍增技术来提高对低光强信号的检测灵敏度。
