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APD430雪崩光电探测器空间光

产品概述：

雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声，非常适合于低光功率级别的应用，APD430集成了热敏电阻，可调节偏置电压，以补偿温度变化对M因子产生的影响。

关键词： APD430 雪崩光电探测器空间光APD 可调光电探测器

产品型号： APD430

规格书：

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产品介绍

概述

雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声，非常适合于低光功率级别的应用。我们除了标准的APD之外，还提供具有可变增益(即M因子)的版本。

一般而言，雪崩光电二极管利用内部增益机制来增加灵敏度。将一个较高的反向偏压施加到该二极管来产生强电场。当入射光子产生一个电子空穴对时，电场使电子加速，导致由碰撞电离产生次级电子。所产生的电子雪崩将产生几百倍的增益因子，用倍增因子M表示，M与反向偏压和温度呈函数关系。一般而言，M因子随温度降低而增大，随温度升高而减小。类似地，M因子将在反向偏置电压升高时增大，在反向偏置电压降低时减小。

APD430集成了热敏电阻，可调节偏置电压，以补偿温度变化对M因子产生的影响。除了温度补偿之外，选配可调增益的版本可通过外壳背面的电位器调节二极管两端的反向偏置电压，以改变M因子。

特点

温度补偿
选配可调增益
最大带宽可达400MHz
30mm光学笼式系统

应用

探测弱光信号
激光雷达

规格

型号	APD430A-10M	APD430A-50M	APD430A-200M	APD430A-400M
材料	Si
波长范围	400-1100nm
光敏区域直径	500um		230um
响应度	0.55A/W @ 905nm (M = 1)
带宽a	DC-10MHz	DC-50MHz	DC-200MHz	DC-400MHz
上升时间a	40ns	8ns	2ns	1ns
增益b	1.4x10^7V/W	2.7x10^6V/W	1.2x10^6V/W	0.52x10^6V/W
饱和光功率	0.23uW	1.3uW	2.5uW	5.8uW
噪声电压a	20mVpp	20mVpp	20mVpp	20mVpp
最大输出电压b	3.2V	3.2V	3.2V	3.2V
噪声等效功率	0.11pW/√Hz	0.23pW/√Hz	0.28pW/√Hz	0.64pW/√Hz

型号	APD430C-10M	APD430C-50M	APD430C-200M	APD430C-400M
材料	InGaAs
波长范围	1000-1700nm
光敏区域直径	500um		200um
响应度	0.9A/W @ 1550nm (M = 1)
带宽a	DC-10MHz	DC-50MHz	DC-200MHz	DC-400MHz
上升时间a	40ns	8ns	2ns	1ns
增益b	3.2x10^6V/W	0.65x10^6V/W	4.0x10^5V/W	1.8x10^5V/W
饱和光功率	0.98uW	4.8uW	8uW	16.7uW
噪声电压a	20mVpp	20mVpp	20mVpp	20mVpp
最大输出电压b	3.2V	3.2V	3.2V	3.2V
噪声等效功率	0.42pW/√Hz	0.71pW/√Hz	0.84pW/√Hz	1.8pW/√Hz

型号	APD430C-ITRI3
材料	InGaAs
波长范围	1000-1700nm
光敏区域直径	1mm
响应度	0.9A/W @ 1550nm (M = 1)
带宽a	DC-80MHz
上升时间a	4.5ns
增益b	4x10^5V/W
饱和光功率	8uW
噪声电压a	20mVpp
最大输出电压b	3.2V

型号	探测器公共参数
工作电压	9V
工作电流	<200mA
输出阻抗	50Ω
输出耦合方式	DC
输出接头	SMA female
工作温度	-10~65℃
存储温度	-40~85℃