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MEMS 1×N光开关器件

产品概述：

具有钢管式小型封装，切换速度快，插损低、重复性好，高可靠性高稳定性等特性。常应用于城域网，数据中心，光纤传感与监测，仪器仪表等。

关键词： 1xN MEMS光开关 光开关器件
产品型号：MEMS 1×N
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技术支持：黄工 13427781756 (微信同号，可扫码）
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产品介绍

光路图

                                                1701332454465.jpg


规格（单模）

参数 单位 MFSW 1×N (N≤64)
工作波长 nm O band: 1290~1330
C band: 1530~1570
L band: 1570~1610
L+ band: 1625~1650
测试波长 nm 1310/1550/1625/1650
 波长相关损耗 dB ≤0.3
 温度相关损耗 dB ≤0.4 (2≤N≤16), ≤0.6 (17≤N≤64)
 偏振相关损耗 dB ≤0.2
 回波损耗 dB ≥50
 串扰 dB ≥50 (2≤N≤32), ≥45 (33≤N≤64)
 重复性 dB ≤±0.05
 切换时间 ms ≤8
 寿命 times ≥109
 工作电压 V 60
 切换模式 Non-Latching
 最大光功率 mW ≤500
 工作温度 °C -20 ~ +85
 存储温度 °C -40 ~ +85
 工作湿度 % 5 ~ 95
 封装尺寸 mm Φ5.5×42(±0.1) (2≤N≤16)
Φ6.0×47(±0.1) (17≤N≤64)
插入损耗
@CWL Single-band dB 1×2 1×4 1×8 1×16 1×24 1×32 1×48 1×64
0.6 0.8 1 1.3 1.5
@CWL Dual-band 0.8 1 1.2 1.5 1.7

1.所有参数均在室温工作环境下测试；

2.所有参数均不包括连接头插入损耗。

3.波长相关损耗测试范围为±20nm。


规格（多模）

参数 单位 MFSW 1×N (N≤16)
工作波长 nm 850±30, 1310±30
测试波长 nm 850/1310
 波长相关损耗 dB ≤0.3
 温度相关损耗 dB ≤0.4
 偏振相关损耗 dB ≤0.2
 回波损耗 dB ≥30
 串扰 dB ≥30
 重复性 dB ≤±0.05
 切换时间 ms ≤8
 寿命 times ≥109
 工作电压 V 60
 切换模式 Non-Latching
 最大光功率 mW ≤500
 工作温度 °C -20 ~ +85
 存储温度 °C -40 ~ +85
 工作湿度 % 5 ~ 95
 封装尺寸 mm Φ5.5×42(±0.1) (2≤N<8)
Φ6.0×47(±0.1) (8≤N≤16)
插入损耗
@850 or 1310 dB 1×4 1×8 1×12 1×16
0.8 1
@850 &1310 1 1.2

1.所有参数均在室温工作环境下测试；

2.所有参数均不包括连接头插入损耗。

3.波长相关损耗测试范围为±20nm。


封装尺寸

        图片3.png

          


订购信息：MFSW 1xN-A-B-C-D

A

代码波长
CC波段
LL波段
OO波段
O&CO&C波段
C&LC&L波段
X其它


B

代码光纤类型
SM单模
M1多模50/125
M2多模62.5/125
X其它


C

代码光纤直径
25Φ0.25mm
X其它


D

代码光纤长度
050.5m
101.0m
151.5m
X其它

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