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MEMS 1×N光开关器件

产品概述:

具有钢管式小型封装,切换速度快,插损低、重复性好,高可靠性高稳定性等特性。常应用于城域网,数据中心,光纤传感与监测,仪器仪表等。

产品型号:MEMS 1×N
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产品介绍


特点

钢管式小型封装,切换速度快,插损低,重复性好,高可靠性高稳定性

应用

城域网,数据中心,光纤传感与监测,仪器仪表

光路图

                                                1701332454465.jpg


规格(单模)

参数 单位 MFSW 1×N (N≤64)
工作波长 nm O band: 1290~1330
C band: 1530~1570
L band: 1570~1610
L+ band: 1625~1650
测试波长 nm 1310/1550/1625/1650
 波长相关损耗 dB ≤0.3
 温度相关损耗 dB ≤0.4 (2≤N≤16), ≤0.6 (17≤N≤64)
 偏振相关损耗 dB ≤0.2
 回波损耗 dB ≥50
 串扰 dB ≥50 (2≤N≤32), ≥45 (33≤N≤64)
 重复性 dB ≤±0.05
 切换时间 ms ≤8
 寿命 times ≥10^9
 工作电压 V 60
 切换模式 Non-Latching
 最大光功率 mW ≤500
 工作温度 °C -20 ~ +85
 存储温度 °C -40 ~ +85
 工作湿度 % 5 ~ 95
 封装尺寸 mm Φ5.5×42(±0.1) (2≤N≤16)
Φ6.0×47(±0.1) (17≤N≤64)
插入损耗
@CWL Single-band dB 1×2 1×4 1×8 1×16 1×24 1×32 1×48 1×64
0.6 0.8 1 1.3 1.5
@CWL Dual-band 0.8 1 1.2 1.5 1.7

1.所有参数均在室温工作环境下测试;

2.所有参数均不包括连接头插入损耗。

3.波长相关损耗测试范围为±20nm。


规格(多模)

参数 单位 MFSW 1×N (N≤16)
工作波长 nm 850±30, 1310±30
测试波长 nm 850/1310
 波长相关损耗 dB ≤0.3
 温度相关损耗 dB ≤0.4
 偏振相关损耗 dB ≤0.2
 回波损耗 dB ≥30
 串扰 dB ≥30
 重复性 dB ≤±0.05
 切换时间 ms ≤8
 寿命 times ≥109
 工作电压 V 60
 切换模式 Non-Latching
 最大光功率 mW ≤500
 工作温度 °C -20 ~ +85
 存储温度 °C -40 ~ +85
 工作湿度 % 5 ~ 95
 封装尺寸 mm Φ5.5×42(±0.1) (2≤N<8)
Φ6.0×47(±0.1) (8≤N≤16)
插入损耗
@850 or 1310 dB 1×4 1×8 1×12 1×16
0.8 1.0
@850 &1310 1.0 1.2

1.所有参数均在室温工作环境下测试;

2.所有参数均不包括连接头插入损耗。

3.波长相关损耗测试范围为±20nm。


封装尺寸

        图片3.png

          


订购信息:

MFSW N-1-22-33-44

1:波长
22:光纤类型
C=C波段
L=L波段
O=O波段
O&C=O&C波段
C&L=C&L波段
S=Specify
SM=单模
M1=多模50/125
M2=多模62.5/125
SS=Specify
33:光纤直径
44:光纤长度
25=Φ0.25mm
S=Specify
05=0.5m
10=1.0m
15=1.5m
SS=Specify

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