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MEMS M×N光开关矩阵

产品概述:

具有模块化封装,无阻光交换矩阵,全通、对通,高可靠性高稳定性等特性。常应用于光分叉复用OADM,交叉连接OXC,数据中心,仪器仪表等。

关键词: MEMS光开关矩阵 光开关矩阵 MxN光开关
产品型号:MEMS M×N
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技术支持:黄工 13427781756 (微信同号,可扫码
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产品介绍


光路图

                                         1701395057045.jpg        


规格(单模)

参考 单位 MEMS M×N-SM
工作波长 nm O/C/L/L+ band
测试波长 nm 1310/1550/1625/1650
插入损耗 dB @CWL Single-band @CWL Dual-band
≤1.6 (M≤8, N≤8) ≤2.0 (M≤8, N≤8)
≤2.0 (M≤16, N≤16) ≤2.4 (M≤16, N≤16)
≤2.6 (M≤32, N≤32) ≤3.0 (M≤32, N≤32)
≤3.0 (M≤64, N≤64) ≤3.4 (M≤64, N≤64)
 波长相关损耗 dB ≤0.6
 偏振相关损耗 dB ≤0.3
 回波损耗 dB ≥45
 串扰 dB ≥50
 重复性 dB ≤±0.1
 切换时间 ms ≤15
 寿命 times ≥109
 最大光功率 mW ≤500
 工作电压 V DC 5V±10%
 工作电流 A ≤0.5 (M+N≤16)
≤0.8 (M+N≤32)
≤2.0 (M+N≤64)
≤4.0 (M+N≤128)
 工作温度 °C -5 ~ +75
 存储温度 °C -40 ~ +85
 封装尺寸 mm M1: 200×180×18 ±0.2 (M+N≤32)
定制:32<M+N≤128

1.所有参数均在室温工作环境下测试;

2.所有参数均不包括连接头插入损耗。

3.波长相关损耗测试范围为±20nm。


规格(多模)

参数 单位 MEMS M×N-MM
工作波长 nm 850±30, 1310±30
测试波长 nm 850/1310
 波长相关损耗 dB ≤0.6
 偏振相关损耗 dB ≤0.4
 回波损耗 dB ≥30
 串扰 dB ≥30
 重复性 dB ≤±0.1
 切换时间 ms ≤15
 寿命 times ≥109
 最大光功率 mW ≤500
 工作电压 V DC 5V±10%
 工作电流 A ≤0.5 (M+N≤16)
≤0.8 (M+N≤32)
 工作温度 °C -5 ~ +70
 存储温度 °C -40 ~ +85
 封装尺寸 mm M1: 200×180×18 ±0.2 (M+N≤32)

1.所有参数均在室温工作环境下测试;

2.所有参数均不包括连接头插入损耗。

3.波长相关损耗测试范围为±20nm。


管脚定义功能说明

管脚编号
管脚编号
信号名称
功能说明
功能说明
12VCCPower工作电源,DC +5V
34GNDPowerGND
5TXDOutput数据发送端
6RXDInput数据接收端
78GNDPowerGND
9~20NC 



封装尺寸

                                                                          M1: 200×180×18mm

                                   1701395536676.png


订购信息:MEMS NxN-A-B-C-D-E-F-G

A

代码模式
S单模
M多模


B

代码波长
85850nm
131310nm
141490nm
151550nm
1621625nm
1651650nm
13/151310/1550nm
X其它


C

代码封装尺寸
M1200×180×18mm
X其它


D

代码光纤类型
550/125
662.5/125
99/125
X其它


E

代码光纤直径
025Φ0.25mm
09Φ0.9mm
X其它


F

代码光纤长度
050.5m
101.0m
151.5m
X其它


G
代码连接器
00
FPFC/UPC
FAFC/APC
SPSC/UPC
SASC/APC
LPLC/UPC
LALC/APC
MPMPO
X其它



相关知识


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